RGTH50TS65GC11
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Rohm Semiconductor RGTH50TS65GC11
| Artikelnummer: | RGTH50TS65GC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Rohm Semiconductor RGTH50TS65GC11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RGTH50TS65GC11.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 650 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Testbedingung 400V, 25A, 10Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 27ns/94ns Schaltenergie - Supplier Device-Gehäuse TO-247N Serie - Leistung - max 174 W Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabetyp Standard IGBT-Typ Trench Field Stop Gate-Ladung 49 nC Strom - Collector Pulsed (Icm) 100 A Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 A Grundproduktnummer RGTH50 RGTH50TS65GC11 Einzelheiten PDF [English] RGTH50TS65GC11 PDF - EN.pdf -
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